Работа транзистора в ключевом режиме

мени противны собачьи бои... :-)
еще более противны особи, относящиеся к людям как к собакам...:-)

[Сообщение изменено пользователем 03.07.2017 23:27]

после такого пинг увеличивается и на пару хопов больше. :-D

С какого перепою Ньюфы(Водолазы) стали бойцовыми?Они в МЧС работают, людей спасают :-)

т.е. любят их, кормят, ласкают, выгуливают, лучших сучек на спаривание приводят? :-D :-D :-D

Не заморачивайтесь, про излучение абсолютного тела читали и откуда растут ноги у квантовой механики тоже знаем :-D

Так понимаю, что Rбэ=10Rб это величина достигнутая экспериментальным путем и нет смысла копаться, а просто принять ее за истину?
Просто думал там расчет какой то точный. В одной умной книге, сие расчеты приведены
Iбэ=4мА/3=1.3мА
где 4мА - ток выхода микросхемы в режиме логической единицы
3 - в три раза меньше Iб
отсель
Rбэ=Uб/Iбэ=0.7В/1.3мА=510 Ом
где 0.7В - падение напряжение на базовом переходе транзистора
Но блин там схема дана без лампочки, то есть без сопротивления коллектора, то есть тупа транзистор и два резистора, один Rбаза второй Rбаза эмиттер. И все мои расчеты приводят в некуда.
А то как я буду...

хи-хи...
радетель генофонда.... :-)
спецпороду для ся готовишь?

предполага шо тута технологически обоснованная цифирь...

при чем Rбазы, чуть раннее в этой книге, был рассчитан как 425Ом при той же схеме, без сопротивления коллектора.

Как то так

Фотография из Фотогалереи на E1.ru

чот в цифровых не встречал R2...зачем R2? база мелкосх на землю садится...

каак в воду глядел...

угадай с 3х раз чо увидел.... :-)

зырь KRC101S к прямеру.
у нхпи куча подобных.



так бот же, а когда ботят делают для того, что бы основной аккаунт не палить. А это уже подразумевает ну очень глупые вопросы, соответственно и приложение этих вопросов подобающее.



да госпаде.
из резисторов получается резистивной делитель, который задает рабочую точку транзистера при активном лагическом уравне.
И енти резистары будут разные у каждого транзистора и вычисляюцо по пдфке.

буков на вас нихватаит. :ultra:

врешь.... :-)
это будут просто разные транзисторы... :-)
серии Крупный Рогатый Скот...
производитель фирма Викинг...:-)

[Сообщение изменено пользователем 05.07.2017 00:02]

ты пдфку то на

открой. :ultra:

я не применяю тако...вероятно, я неверно понял вопрос... :-)

зачем боту чо то открывать?...тем более у меня нету таких... :-)

Любите друг друга в ЛС. Зачем на публике светится?

Не а.
Рабочую точку выбирают для режима усиления. А ключ работает в режиме насыщения и отсечки, иначе он нагреется и сгорит.
Резистор R1 ограничивает ток базы до разумных величин, а то мало ли что за схема перед ним...

тоже рекомендую пдфку на тот же ключ посмотреть.
ток базы был бы если без р2, а с р2 рабочая точка.
И эта точка задает режим работы, да собсно в пдфе всё есть.


ну что за инсинуации. а? :-D

Если посчитать от нагрузки. Допустим ток лампе нужно 0.2А, чтобы горела.
Смотрим бету транзистора, допустим 100. Ток базы меньше тока коллектора в 100 раз, т.е. для открытия транзистора нужно загнать ток в базу 0.2/100 = 2мА.

Теперь пляшем от управления. Если максимальный ток 3мА, то на Rбэ можно пустить максимум 3-2 = 1мА. На базе открытого транзистора 0.65В.
Минимальное сопротивление Rбэ = 0.65В/1мА = 650 Ом.
Это при максимальном токе выхода. Но чтобы его зря не нагружать, можно пустить по нему ток раз в 10 меньше. Допустим 0.1мА, с сопротивлением Rбэ = 6.5кОм.

Теперь, если напряжение управления 2.5В, то на Rб должно упасть 2.5-0.65В = 1.85В. Ток через Rб = ток в базу + ток в Rбэ = 2+0.1 = 2.1мА.
Rб = 1.85В/2.1мА = 880 Ом.
Ближайший из стандартного ряда - 910 Ом.

Благодарствую мил человек!!

Я блин сам себя запутал, этих цифровых транзисторов как грязи оказывается. Выбирай не хочу. А то я уже настроил огородов :-D Блин ща когда уж до промэлектроники выберусь :weep: :weep:

Ладно, паду я, диодиками поморгаю.

Спасибо я уж понял, что среднее в 10 раз. Просто хотел узнать более точные расчеты этого гребаного Rбэ. Все таки на будущее, буду смотреть в сторону цифровых транзисторов.

Так там точность-то не нужна. Если бы схема была выскочастотной, да еще охваченной обратной связью, то пришлось бы учесть емкость базы да считать постоянную времени для надежного быстрого запирания и снижать Rбэ до упора....
А так, пофик, вплоть до 200..500кОм, поставь ничо не изменится... Больше просто уже если шумы влиять начнут, транзюк может ложно приоткрываться неполностью...