Фобос мудакопулус
d
demiurg_ii

00:52, 01.02.2012
слушайте идите на наса и читайте про опортюнити...
сами-то четали? ныне летающее и ползающее сделано на RAD6000. Точные характеристики его -- слегка закрытая информация, но _следующее_ поколение процессоров RAD750, сделанное на 7 лет позже, делается по 0.25мкм и 0.15мкм технологии. :-) Выводы сами асилите?
t
tihon
00:58, 01.02.2012
сами-то четали? ныне летающее и ползающее сделано на RAD6000. Точные характеристики его -- слегка закрытая информация, но _следующее_ поколение процессоров RAD750, сделанное на 7 лет позже, делается по 0.25мкм и 0.15мкм технологии. Выводы сами
асилите?
я то все читал - вы докапаться решили - окей дальше по вики пойдите - The Mars Reconnaissance Orbiter spacecraft has a RAD750 on board.[
я ведь про орбитер и говорил... а блин опортунити а тут орбитер напридумывают навзваниев ... но тем не менее вы утверждали что наса не пользует меньше 200 -а факт - пользует еще как то что ползает сделано 10... ДЕСЯТЬ лет назад.. ну и потом - работает 150 нанометров в космосе - работает вот и нефиг роскосмосу дудеть про контрафакт
[Сообщение изменено пользователем 01.02.2012 01:00]
t
tihon
01:19, 01.02.2012
Я далеко не эксперт, но даже мне понятно, что маленькие нанометры, нужны там, где большие нагрузки, вроде моего лаптопа, например. +)
маленькие нанометры кроме все прочего обеспечивают пониженное потребление на опрецию. ну и количество элементов еще более оптимизирует этот процесс. ибо всякие green режимы требуют дополнительных элементов внутри микросхемы. и именно по этой причине амеровские спутники тупо летают в разы больше , иногда в 3 ив ПЯТЬ раз дольше чем отечественные... и нести бред о контрафакте - это либо дурак либо умышленно...
d
demiurg_ii

01:24, 01.02.2012
Наса в серьезных проектах на 0.15мкм перешло буквально три-четыре года назад -- статистику по КА хоть посмотрите. До того ЛКИ происходили. C 0.25мкм версией.
The first 0.25 micron radiation-hardened transistor has been fabricated at BAE Systems newly upgraded microelectronics fabrication facility at Manassas, Virginia. This event is an important milestone in building a next generation of radiation-hardened electronics for future spacecraft, said George Nossaman, director of Space Systems and Electronics. 11 Nov 2003
нет, это ВЫ утверждали про "гораздо меньшие" нанометры и возмущались неприемлемостью лучистого поноса в адрес цифры 90нм. Теперь утирайтесь.
The first 0.25 micron radiation-hardened transistor has been fabricated at BAE Systems newly upgraded microelectronics fabrication facility at Manassas, Virginia. This event is an important milestone in building a next generation of radiation-hardened electronics for future spacecraft, said George Nossaman, director of Space Systems and Electronics.
но тем не менее вы утверждали что наса не пользует меньше 200
нет, это ВЫ утверждали про "гораздо меньшие" нанометры и возмущались неприемлемостью лучистого поноса в адрес цифры 90нм. Теперь утирайтесь.
t
tihon
01:31, 01.02.2012
Теперь утирайтесь.
чо мне-то утираться - нету техпроцесса 200 нм пусть поповкин утирается. кроме того наса пользует меньше 200 нм -пользует , падают их спутники - нет глонассы прогрессы - падают.. вот пускай поповких иутирается...ну ипотом поповкинне раскрилчтоза чюдо микросхемы 90нм онипользуют-посему это очередной блеф
а вы, если слили тематику - не переходите на оскорбления и хамство, я помоему вас ваш кал не просил утирать, вобщем невежда . это я именно к вам обращаюсь - не трудитесь песать мене более. лучше наслаждайтесь 200нм техникой роскосмоса
вы пля донельзя крутой ... пруф
Наса в серьезных проектах на 0.15мкм перешло буквально три-четыре года назад -- статистику по КА хоть посмотрите.
[Сообщение изменено пользователем 01.02.2012 01:32]
d
darkwoox

01:40, 01.02.2012
Америкосы десятками спутники запускают,
и даже японцы умудрились грунт с астероида достать,
зато раися впереди планеты всей
и даже японцы умудрились грунт с астероида достать,
зато раися впереди планеты всей
d
demiurg_ii

01:56, 01.02.2012
В вашей любимой википедии перечень космических запусков с RAD750 на борту.
Первое (официальное) упоминание о новом RAD750 с большей интеграцией и 150нм было в контексте Lunar Recoinassance Orbiter, в 2007, более чем за год до планируемого запуска (который, кстати, тоже в итоге отложили, уже не из-за новой електроники ли? :-) ):
http://klabs.org/DEI/Processor/PowerPC/rad750/pape...
Первое (официальное) упоминание о новом RAD750 с большей интеграцией и 150нм было в контексте Lunar Recoinassance Orbiter, в 2007, более чем за год до планируемого запуска (который, кстати, тоже в итоге отложили, уже не из-за новой електроники ли? :-) ):
http://klabs.org/DEI/Processor/PowerPC/rad750/pape...
Обсуждение этой темы закрыто модератором форума.